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HR13003L （ AFC ） TRANSISTOR（ NPN ） |
TO—126 |
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FEATURES |
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功耗 |
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PCM |
: |
1.25 |
W（Tamb=25℃） |
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集电极电流 |
1.base |
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ICM |
: |
1.5 |
A |
2.COLLECTOR |
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集电极-基极电压 |
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V(BR)CBO : 700 |
V |
3.EMITTER |
1 2 3 |
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操作和存储结温度范围 |
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TJ，Tstg: -55℃ to +150℃ |
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电 |
特征（Tamb=25℃ 除非另有说明） |
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参数 |
Symbol |
Test |
conditions |
MIN |
TYP |
MAX |
UNIT |
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集电极-基极击穿电压 |
V(BR)CBO |
Ic= 1000μA， IE=0 |
700 |
V |
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集电极发射极击穿电压 |
V(BR)CEO |
Ic= 10 |
mA， IB=0 |
400 |
V |
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发射极-基极击穿电压 |
V(BR)EBO |
IE= 1000μA， IC=0 |
9 |
V |
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集电极截止电流 |
ICBO |
VCB= 700 |
V， IE=0 |
1000 |
µA |
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集电极截止电流 |
ICEO |
VCE= 400 |
V， IB=0 |
500 |
µA |
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发射极电流 |
IEBO |
VEB= 9 |
V， IC=0 |
1000 |
µA |
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HFE（1） |
VCE= 5 V, IC= 0.2 A |
8 |
40 |
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直流电流增益 |
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HFE（2） |
VCE= 10 V, IC= 0.5 mA |
5 |
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集电极-发射极饱和电压 |
VCE(sat) |
IC=0.2A,IB= 0.04A |
1 |
V |
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基极-发射极饱和电压 |
VBE(sat) |
IC=0.2A,IB= 0.04A |
1.2 |
V |
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基极-发射极电压 |
VBE |
IE= 2000 mA |
3 |
V |
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过渡频率 |
fT |
VCE=10V,Ic=100mA |
5 |
MHz |
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f =1MHz |
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下降时间 |
tf |
IC=1A, IB1=-IB2=0.2A |
0.5 |
µs |
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VCC=100V |
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储存时间 |
ts |
2.5 |
µs |
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分类HFE(1) |
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